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详细信息
ArBlade 5000离子研磨系统具备高产量和广域横截面样品制备能力,采用氩离子束溅射效应进行样品表面抛光,避免了传统机械抛光带来的变形和机械应力。该系统配备PLUS II离子枪技术,研磨速度快达1mm/hr以上,并能实现*大宽度8mm的广域横截面研磨,适用于电子、先进材料等领域的研发及质量控制。其混合研磨功能和用户友好的LCD触摸面板提升了操作便利性和样品处理效率。
应用领域- 材料科学领域
- 半导体材料研究:用于半导体晶圆的截面制备和表面处理,以便观察材料的内部结构、缺陷分布以及薄膜的生长情况等。例如,分析芯片制造过程中不同工艺层之间的界面结构,研究半导体材料中的杂质扩散等。
- 金属材料分析:对金属合金进行研磨,制备出适合观察的样品表面,用于研究金属的微观组织结构,如晶粒尺寸、相分布、位错等,从而了解材料的性能与结构之间的关系,为材料的研发和性能优化提供依据。
- 陶瓷材料研究:可用于陶瓷材料的表面加工和截面制备,分析陶瓷的晶体结构、孔隙分布以及晶界特征等,有助于提高陶瓷材料的性能和质量,例如研究高性能陶瓷刀具材料的微观结构。
- 纳米材料研究:对于纳米材料,如纳米薄膜、纳米线等,该系统能够精确地对其进行研磨和加工,以便观察纳米材料的微观结构和尺寸分布,研究纳米材料的生长机制和性能特点。
- 电子学领域
- 电子器件失效分析:在电子器件出现故障时,通过对器件进行离子研磨,制备出特定的截面或表面,观察内部的结构变化、电路连接情况以及可能存在的缺陷,如短路、开路、金属迁移等,帮助确定失效原因,为改进产品设计和生产工艺提供参考。
- 集成电路研究与开发:在集成电路的研发过程中,用于对芯片进行微加工和分析,如观察光刻工艺后的图案质量、刻蚀深度以及多层布线结构等,有助于优化集成电路的设计和制造工艺,提高芯片的性能和可靠性。
- 地质学领域
- 岩石矿物分析:对岩石和矿物样品进行研磨,制备出光滑的表面,以便通过显微镜等手段观察矿物的晶体结构、纹理特征以及矿物之间的相互关系,从而了解岩石的成因、演化过程以及矿产资源的分布规律。
- 古生物化石研究:在古生物学研究中,可用于对化石进行精细加工,揭示化石内部的微观结构和特征,帮助科学家更好地了解古代生物的形态、结构和生活习性,为古生物学的研究提供重要的证据。
- 生物学领域
- 生物样品制备:对于一些生物样品,如细胞、组织等,离子研磨系统可以在不破坏其内部结构的前提下,对样品进行超薄切片制备,用于电子显微镜观察,研究生物细胞的超微结构、细胞器的分布以及生物大分子的定位等。
- 生物材料研究:在生物材料的研发过程中,如人工骨、生物支架等材料,通过离子研磨制备样品表面,观察材料的微观结构和生物相容性,为优化生物材料的性能和设计提供依据。
仪器功能
- 混合研磨功能:能够进行横截面研磨和平面研磨,可根据不同的样品需求和实验目的选择合适的研磨方式,实现对样品的多样化预处理。
- 高速截面研磨功能:配备PLUS II离子枪,可发射高电流密度离子束,实现了1mm/hr以上的截面铣削速度,相比日立之前的IM4000Plus型号提高了一倍,能快速制备样品截面,大大缩短了样品制备时间,尤其适用于陶瓷和金属等硬质材料的研磨。
- 广域加工功能:使用广域横截面研磨样品座,*大研磨宽度可达8mm,可制备比以往更大的截面样品,适用于电子元件等较大尺寸样品的研磨,便于对样品进行更全面的观察和分析。
- 离子束间歇加工功能:该功能为标准配置,可通过设置离子束的间歇时间和加工时间,更好地控制研磨过程,适用于一些对研磨精度要求较高的样品制备。
- 切割过程创建器功能:允许用户设置多个加工点并自动处理它们,配合SEM的“宏功能”,可以自动捕获指定区域的广域图像,实现从加工到观察的整个过程的自动化,提高工作效率。
仪器特点
- 无应力损伤加工:利用氩离子束照射样品表面引起的溅射效应来抛光样品,与机械抛光不同,处理样品时不会变形或施加机械应力,能有效避免样品因加工产生的损伤和变形,适用于各种材料的样品制备,包括软材料、复合材料以及对应力敏感的材料等。
- 操作简便:基于采用LCD触摸面板的全新控制系统,界面友好,操作方便,增强了仪器的可操作性,用户可以轻松地进行参数设置、功能选择和研磨过程监控等操作。
- 加工监测功能1:配备加工监测用显微镜,放大倍率为15×~100×,有双目型和三目型(可加装 CCD)两种类型,可在研磨过程中实时观察样品的加工情况,便于及时调整研磨参数和确定研磨终点。
- 高耐磨遮挡板:采用不含钴的高耐磨遮挡板,其耐磨性是标准遮挡板的2倍左右,能够有效保护仪器内部部件,减少因离子束溅射造成的磨损,延长仪器的使用寿命。
- 冷却系统可选:针对一些易受高温影响的样品,如某些高分子材料、生物样品等,可选择配备冷却系统,通过间接冷却方式将样品温度控制在较低水平,避免样品在研磨过程中因受热而发生结构或性能变化。
型号 ArBlade 5000 使用气体 Ar(氩)气 加速电压 0~8kV 截面研磨 ≥1mm/h 截面研磨 *大研磨宽度 8mm 平面研磨 研磨面积 φ32mm 截面研磨 X ±7mm、Y 0~+3mm 平面研磨 X 0~+5mm 离子束间歇加工功能 标准配置 摆动角度 ±15°、±30°、±40° 旋转速度 1rpm、25rpm 倾斜角度 0~90° *大样品尺寸 截面研磨:20(w)*12(d)*7(h)mm
平面研磨:φ50*25(h)mm -
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